Справочник IGBT. IXSX50N60BU1

 

IXSX50N60BU1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSX50N60BU1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 300
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 75
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 70
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 440
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 167
   Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXSX50N60BU1

 

 

IXSX50N60BU1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  ixys
 ixsx50n60bu1.pdf

IXSX50N60BU1 IXSX50N60BU1

IGBT with Diode IXSK 50N60BU1 VCES = 600 VIXSX 50N60BU1 IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPLUS247(IXSX)Symbol Test Conditions Maximum RatingsC (TAB)GVCES TJ = 25C to 150C 600 VCEVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VTO-264 AAVGES Continuous 20 V(IXSK)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AIC90 TC = 90C50 A

 4.1. Size:98K  ixys
 ixsx50n60bd1.pdf

IXSX50N60BU1 IXSX50N60BU1

IGBT with Diode IXSK 50N60BD1 VCES = 600 VIXSX 50N60BD1 IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPLUS247(IXSX)Symbol Test Conditions Maximum RatingsC (TAB)GVCES TJ = 25C to 150C 600 VCEVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 V TO-264 AA(IXSK)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AIC90 TC = 90C50 A

 5.1. Size:103K  ixys
 ixsx50n60au1 ixsx50n60au1s.pdf

IXSX50N60BU1 IXSX50N60BU1

Preliminary dataVCES = 600 VIXSX50N60AU1IGBT with DiodeIXSX50N60AU1S IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.7 VCombi PackShort Circuit SOA CapabilityTO-247 Hole-less SMD(50N60AU1S)C (TAB)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 150C 600 VTO-247 Hole-lessVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V(50N60AU1)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V

Другие IGBT... IXST40N60B , IXSM40N60A , IXSM45N100 , IXSX35N120AU1 , IXSX40N60CD1 , IXSX50N60AU1 , IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , DG40F12T2 , KP730A , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 .

 

 
Back to Top