IXSX50N60BU1 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXSX50N60BU1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
Тип корпуса: PLUS247
Аналог (замена) для IXSX50N60BU1
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXSX50N60BU1 даташит
ixsx50n60bu1.pdf
IGBT with Diode IXSK 50N60BU1 VCES = 600 V IXSX 50N60BU1 IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability PLUS247 (IXSX) Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (TAB) G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V TO-264 AA VGES Continuous 20 V (IXSK) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A IC90 TC = 90 C50 A
ixsx50n60bd1.pdf
IGBT with Diode IXSK 50N60BD1 VCES = 600 V IXSX 50N60BD1 IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability PLUS247 (IXSX) Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (TAB) G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V VGES Continuous 20 V TO-264 AA (IXSK) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A IC90 TC = 90 C50 A
ixsx50n60au1 ixsx50n60au1s.pdf
Preliminary data VCES = 600 V IXSX50N60AU1 IGBT with Diode IXSX50N60AU1S IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.7 V Combi Pack Short Circuit SOA Capability TO-247 Hole-less SMD (50N60AU1S) C (TAB) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V TO-247 Hole-less VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V (50N60AU1) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V
Другие IGBT... IXST40N60B , IXSM40N60A , IXSM45N100 , IXSX35N120AU1 , IXSX40N60CD1 , IXSX50N60AU1 , IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , FGPF4533 , KP730A , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c



