KP730A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: KP730A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 480 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2400pF pF
   Тип корпуса: TO218
     - подбор IGBT транзистора по параметрам