KP730A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: KP730A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 480 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2400pF pF
   Тип корпуса: TO218

 Аналог (замена) для KP730A

 

 

KP730A Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... IXSM40N60A , IXSM45N100 , IXSX35N120AU1 , IXSX40N60CD1 , IXSX50N60AU1 , IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , GT30F124 , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 .