KP810A - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: KP810A
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1500 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Тип корпуса: TO218
Аналог (замена) для KP810A
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
KP810A даташит
No data!
Другие IGBT... IXSX35N120AU1 , IXSX40N60CD1 , IXSX50N60AU1 , IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , FGH40N60UFD , KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06