Справочник IGBT. MDI150-12A4

 

MDI150-12A4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MDI150-12A4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 760 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: INT-A-PAK
 
   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MDI150-12A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  ixys
 mdi150-12a4.pdf pdf_icon

MDI150-12A4

MII 150-12 A4 MID 150-12 A4MDI 150-12 A4IC25 = 180 AIGBT ModulesVCES = 1200 VVCE(sat) typ. = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA3MII MID MDI2113 3 3110988 81 1 19 911 112 2 21010E 72873FeaturesSymbol Conditions Maximum RatingsNPT IGBT technologylow saturation voltageVCES TJ = 25C to 150C 1200 Vlow switching lossesVCGR T

Другие IGBT... IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , FGD4536 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED .

 

 
Back to Top

 


 
.