MDI150-12A4 - аналоги и описание IGBT

 

MDI150-12A4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MDI150-12A4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 760 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

Тип корпуса: INT-A-PAK

 Аналог (замена) для MDI150-12A4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MDI150-12A4 даташит

 ..1. Size:118K  ixys
 mdi150-12a4.pdf pdf_icon

MDI150-12A4

MII 150-12 A4 MID 150-12 A4 MDI 150-12 A4 IC25 = 180 A IGBT Modules VCES = 1200 V VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 3 MII MID MDI 2 11 3 3 3 1 10 9 8 8 8 1 1 1 9 9 11 11 2 2 2 10 10 E 72873 Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT IGBT technology low saturation voltage VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V low switching losses VCGR T

Другие IGBT... IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , GT50JR22 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.