MGP11N60ED Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MGP11N60ED
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 81 pF
Тип корпуса: TO220
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MGP11N60ED Datasheet (PDF)
mgp11n60ed.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP11N60ED/DDesigner's Data SheetMGP11N60EDInsulated Gate Bipolar Transistorwith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO22011 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged15 A @ 25Cwith a soft recovery ultrafast rectifier and uses an a
mgp11n60erev0.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP11N60E/DDesigner's Data SheetMGP11N60EInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high11 A @ 90Cvoltageblocking capability. Its new 600 V I
mgp11n60de.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP11N60DE/DProduct Preview Data SheetMGP11N60DEInsulated Gate Bipolar Transistorwith Anti-Parallel DiodeIGBT & DIODE IN TO220NChannel Enhancement Mode Silicon Gate11 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged 15 A @ 25Cwith a soft recovery ultrafast rectifier and uses an ad
Другие IGBT... MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E , CRG40T60AN3H , MGP14N60E , MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL , MGP15N43CL , MGP15N60U , MGP20N14CL , MGP20N35CL .
History: FF200R12KT3 | NGTB40N120FL2WG | APT150GT120JR | IXYH20N65B3 | MMG300D170B | IRG4PC30FPBF
History: FF200R12KT3 | NGTB40N120FL2WG | APT150GT120JR | IXYH20N65B3 | MMG300D170B | IRG4PC30FPBF



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566