MGP20N14CL - аналоги и описание IGBT

 

MGP20N14CL - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MGP20N14CL

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 135 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9(max) V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 182 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MGP20N14CL

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGP20N14CL даташит

 ..1. Size:82K  motorola
 mgp20n14cl.pdf pdf_icon

MGP20N14CL

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGP20N14CL/D Product Preview MGP20N14CL SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT 20 AMPERES This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) VOLTAGE CLAMPED features Gate Emitter ESD protection, Gate Collector overvoltage N CHANNEL IGBT protection from SMARTDISCRETES monolithic circuitry for

 0.1. Size:77K  motorola
 mgp20n14clrev1.pdf pdf_icon

MGP20N14CL

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGP20N14CL/D Product Preview MGP20N14CL SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT 20 AMPERES This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) VOLTAGE CLAMPED features Gate Emitter ESD protection, Gate Collector overvoltage N CHANNEL IGBT protection from SMARTDISCRETES monolithic circuitry for

 8.1. Size:133K  motorola
 mgp20n40clrev1.pdf pdf_icon

MGP20N14CL

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGP20N40CL/D Advanced Information MGP20N40CL SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT 20 AMPERES This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) VOLTAGE CLAMPED features Gate Emitter ESD protection, Gate Collector overvoltage N CHANNEL IGBT protection from SMARTDISCRETES monolithic circuitr

 8.2. Size:200K  motorola
 mgp20n35clrev0xx.pdf pdf_icon

MGP20N14CL

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGP20N35CL/D Advanced Information MGP20N35CL SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT 20 AMPERES This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) VOLTAGE CLAMPED features Gate Emitter ESD protection, Gate Collector overvoltage N CHANNEL IGBT protection from SMARTDISCRETES monolithic circuitr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MGP11N60E , MGP11N60ED , MGP14N60E , MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL , MGP15N43CL , MGP15N60U , SGT50T65FD1PN , MGP20N35CL , MGP20N40CL , MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED .

History: JNG15T120HS | SGT15T60SD1T | SGT10T60SDM1P7 | KWRFF100R12SWM | KWRFF40R12SWM | MG100HF12MIC1 | GA200SA60U

 

 

 

 

↑ Back to Top
.