Справочник IGBT. MGP4N60E

 

MGP4N60E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGP4N60E
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 18.1 nC
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MGP4N60E

 

 

MGP4N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  motorola
 mgp4n60e.pdf

MGP4N60E MGP4N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP4N60E/DDesigner's Data SheetMGP4N60EInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high4.0 A @ 90Cvoltageblocking capability. Its new 600 V IG

 0.1. Size:124K  motorola
 mgp4n60erev0.pdf

MGP4N60E MGP4N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP4N60E/DDesigner's Data SheetMGP4N60EInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high4.0 A @ 90Cvoltageblocking capability. Its new 600 V IG

 0.2. Size:150K  motorola
 mgp4n60ed.pdf

MGP4N60E MGP4N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP4N60ED/DDesigner's Data SheetMGP4N60EDInsulated Gate Bipolar Transistorwith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO2204.0 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged6.0 A @ 25Cwith a soft recovery ultrafast rectifier and uses an a

Другие IGBT... MGP15N40CL , MGP15N43CL , MGP15N60U , MGP20N14CL , MGP20N35CL , MGP20N40CL , MGP20N60U , MGP21N60E , GT30G124 , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D .

 

 
Back to Top