MGP4N60ED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MGP4N60ED
Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 18.1 nC
Тип корпуса: TO220
MGP4N60ED Datasheet (PDF)
mgp4n60ed.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP4N60ED/DDesigner's Data SheetMGP4N60EDInsulated Gate Bipolar Transistorwith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO2204.0 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged6.0 A @ 25Cwith a soft recovery ultrafast rectifier and uses an a
mgp4n60erev0.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP4N60E/DDesigner's Data SheetMGP4N60EInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high4.0 A @ 90Cvoltageblocking capability. Its new 600 V IG
mgp4n60e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP4N60E/DDesigner's Data SheetMGP4N60EInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high4.0 A @ 90Cvoltageblocking capability. Its new 600 V IG
Другие IGBT... MGP15N43CL , MGP15N60U , MGP20N14CL , MGP20N35CL , MGP20N40CL , MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , IRGP4086 , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2