MGP4N60ED - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MGP4N60ED
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для MGP4N60ED
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MGP4N60ED даташит
mgp4n60ed.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGP4N60ED/D Designer's Data Sheet MGP4N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N Channel Enhancement Mode Silicon Gate IGBT & DIODE IN TO 220 4.0 A @ 90 C This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co packaged 6.0 A @ 25 C with a soft recovery ultra fast rectifier and uses an a
mgp4n60erev0.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGP4N60E/D Designer's Data Sheet MGP4N60E Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced IGBT IN TO 220 termination scheme to provide an enhanced and reliable high 4.0 A @ 90 C voltage blocking capability. Its new 600 V IG
mgp4n60e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGP4N60E/D Designer's Data Sheet MGP4N60E Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced IGBT IN TO 220 termination scheme to provide an enhanced and reliable high 4.0 A @ 90 C voltage blocking capability. Its new 600 V IG
Другие IGBT... MGP15N43CL , MGP15N60U , MGP20N14CL , MGP20N35CL , MGP20N40CL , MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , IKW75N60T , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED .
History: SGT75T65SDM1P4 | SGT20T60SD1S | SGT20T135QR1P7
History: SGT75T65SDM1P4 | SGT20T60SD1S | SGT20T135QR1P7
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet



