Справочник IGBT. MGP7N60E

 

MGP7N60E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGP7N60E
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 81 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 27.2 nC
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MGP7N60E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGP7N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  motorola
 mgp7n60e.pdf pdf_icon

MGP7N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP7N60E/DDesigner's Data SheetMGP7N60EInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high7.0 A @ 90Cvoltageblocking capability. Its new 600 V IG

 0.1. Size:122K  motorola
 mgp7n60erev0.pdf pdf_icon

MGP7N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP7N60E/DDesigner's Data SheetMGP7N60EInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high9.0 A @ 90Cvoltageblocking capability. Its new 600 V IG

 0.2. Size:148K  motorola
 mgp7n60ed.pdf pdf_icon

MGP7N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP7N60ED/DDesigner's Data SheetMGP7N60EDInsulated Gate Bipolar Transistorwith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO2207.0 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged10 A @ 25Cwith a soft recovery ultrafast rectifier and uses an ad

Другие IGBT... MGP15N60U , MGP20N14CL , MGP20N35CL , MGP20N40CL , MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , FGPF4633 , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 .

 

 
Back to Top

 


 
.