Справочник IGBT. MGW12N120D

 

MGW12N120D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGW12N120D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 123 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.71 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 83 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 126 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 29 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MGW12N120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  motorola
 mgw12n120d.pdf pdf_icon

MGW12N120D

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGW12N120D/DDesigner's Data SheetMGW12N120DInsulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred Devicewith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO24712 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged20 A @ 25Cwith a soft recovery ultraf

 5.1. Size:228K  motorola
 mgw12n120.pdf pdf_icon

MGW12N120D

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGW12N120/DDesigner's Data SheetMGW12N120Insulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred DeviceNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO247termination scheme to provide an enhanced and reliable high12 A @ 90Cvoltageblocking

Другие IGBT... MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , CRG60T60AN3H , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D .

History: IGA30N60H3 | KM435A | IXGX32N170H1 | DG10X06T1

 

 
Back to Top

 


 
.