Справочник IGBT. MGW12N120D

 

MGW12N120D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MGW12N120D

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 123W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.71V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 76

Емкость коллектора (Cc), pf: 1003pF

Корпус: TO247

Аналог (замена) для MGW12N120D

 

 

MGW12N120D Datasheet (PDF)

1.1. mgw12n120d.pdf Size:213K _motorola

MGW12N120D
MGW12N120D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGW12N120D/D Designer's? Data Sheet MGW12N120D Insulated Gate Bipolar Transistor Motorola Preferred Device with Anti-Parallel Diode NChannel EnhancementMode Silicon Gate IGBT & DIODE IN TO247 12 A @ 90C This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged 20 A @ 25C with a soft recovery ultrafast rectifier and

1.2. mgw12n120.pdf Size:228K _motorola

MGW12N120D
MGW12N120D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGW12N120/D Designer's? Data Sheet MGW12N120 Insulated Gate Bipolar Transistor Motorola Preferred Device NChannel EnhancementMode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced IGBT IN TO247 termination scheme to provide an enhanced and reliable high 12 A @ 90C voltageblocking capability. Sh

 

Другие IGBT... MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , SKW15N60 , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D .

Back to Top

 


MGW12N120D
  MGW12N120D
  MGW12N120D
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top