MGW12N120D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MGW12N120D
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 123 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.71 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 83 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 126 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 29 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MGW12N120D
MGW12N120D Datasheet (PDF)
mgw12n120d.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGW12N120D/DDesigner's Data SheetMGW12N120DInsulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred Devicewith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO24712 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged20 A @ 25Cwith a soft recovery ultraf
mgw12n120.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGW12N120/DDesigner's Data SheetMGW12N120Insulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred DeviceNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO247termination scheme to provide an enhanced and reliable high12 A @ 90Cvoltageblocking
Другие IGBT... MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , IHW20N135R5 , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2