MGW20N60D - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MGW20N60D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 32 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 61 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 165 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MGW20N60D
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MGW20N60D даташит
mgw20n60d.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGW20N60D/D Designer's Data Sheet MGW20N60D Insulated Gate Bipolar Transistor Motorola Preferred Device with Anti-Parallel Diode N Channel Enhancement Mode Silicon Gate IGBT & DIODE IN TO 247 20 A @ 90 C This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co packaged 32 A @ 25 C with a soft recovery ultra fas
mgw20n60.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGW20N60D/D Designer's Data Sheet MGW20N60D Insulated Gate Bipolar Transistor Motorola Preferred Device with Anti-Parallel Diode N Channel Enhancement Mode Silicon Gate IGBT & DIODE IN TO 247 20 A @ 90 C This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co packaged 32 A @ 25 C with a soft recovery ultra fas
mgw20n120.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGW20N120/D Designer's Data Sheet MGW20N120 Insulated Gate Bipolar Transistor Motorola Preferred Device N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced IGBT IN TO 247 termination scheme to provide an enhanced and reliable high 20 A @ 90 C voltage blocking
Другие IGBT... MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , RJH30E2DPP , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 .
History: DGW20N65CTL | DGW15N65CTL
History: DGW20N65CTL | DGW15N65CTL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240



