MGY25N120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MGY25N120
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 212 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 38 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.37 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 124 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 181 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 97 nC
Тип корпуса: TO264
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MGY25N120 Datasheet (PDF)
mgy25n120.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGY25N120/DDesigner's Data SheetMGY25N120Insulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred DeviceNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO264termination scheme to provide an enhanced and reliable high25 A @ 90Cvoltageblocking
mgy25n120d.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGY25N120D/DDesigner's Data SheetMGY25N120DInsulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred Devicewith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO26425 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged38 A @ 25Cwith a soft recovery ultraf
mgy25n12d.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGY25N120D/DDesigner's Data SheetMGY25N120DInsulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred Devicewith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO26425 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged38 A @ 25Cwith a soft recovery ultraf
mgy25n12.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGY25N120/DDesigner's Data SheetMGY25N120Insulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred DeviceNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO264termination scheme to provide an enhanced and reliable high25 A @ 90Cvoltageblocking
Другие IGBT... MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , CRG15T120BNR3S , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , MID550-12A4 , MID75-12A3 .
History: FGAF30S65AQ
History: FGAF30S65AQ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726