MGY25N120 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

MGY25N120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: MGY25N120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 212 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 38 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.37 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 124 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 181 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 97 nC
   Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для MGY25N120

MGY25N120 Datasheet (PDF)

..1. Size:195K motorola
mgy25n120.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGY25N120/DDesigner's Data SheetMGY25N120Insulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred DeviceNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO264termination scheme to provide an enhanced and reliable high25 A @ 90Cvoltageblocking

0.1. Size:218K motorola
mgy25n120d.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGY25N120D/DDesigner's Data SheetMGY25N120DInsulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred Devicewith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO26425 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged38 A @ 25Cwith a soft recovery ultraf

6.1. Size:256K motorola
mgy25n12d.pdf