MID150-12A4 - аналоги и описание IGBT

 

MID150-12A4 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: MID150-12A4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 760 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MID150-12A4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры MID150-12A4

 ..1. Size:118K  ixys
 mid150-12a4.pdf pdf_icon

MID150-12A4

MII 150-12 A4 MID 150-12 A4 MDI 150-12 A4 IC25 = 180 A IGBT Modules VCES = 1200 V VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 3 MII MID MDI 2 11 3 3 3 1 10 9 8 8 8 1 1 1 9 9 11 11 2 2 2 10 10 E 72873 Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT IGBT technology low saturation voltage VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V low switching losses VCGR T

Другие IGBT... MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , SGH80N60UFD , MID200-12A4 , MID300-12A4 , MID550-12A4 , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A , MSAGX60F60B , MSAGX75F60A .

History: IXGH30N60C2

 

 
Back to Top

 


 
.