Справочник IGBT. MID75-12A3

 

MID75-12A3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MID75-12A3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 240 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MID75-12A3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MID75-12A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  ixys
 mid75-12a3.pdf pdf_icon

MID75-12A3

MID75-12A3VCES = 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 90 AC25VCE(sat) = 2.2VBoost Chopper + free wheeling DiodePart numberMID75-12A3Backside: isolated13452Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching lo

Другие IGBT... MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , MID550-12A4 , CRG40T60AK3HD , MMG05N60D , MSAGX60F60A , MSAGX60F60B , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B , MSAGX75L60A , MSAGX75L60B , MSAGZ52F120A .

 

 
Back to Top

 


 
.