Справочник IGBT. MSAHZ52F120B

 

MSAHZ52F120B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSAHZ52F120B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: P
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 95 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2200pF pF
   Тип корпуса: SMD-P

 Аналог (замена) для MSAHZ52F120B

 

 

MSAHZ52F120B Datasheet (PDF)

 3.1. Size:35K  microsemi
 msahz52f120a.pdf

MSAHZ52F120B MSAHZ52F120B

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220MSAGZ52F120AFAX: (714) 966-5256MSAHZ52F120AFeatures1200 Volts Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof52 Amps Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance3.2 Volts vce(sat) Very low thermal resistance Reverse polarity ava

Другие IGBT... MSAGX75L60B , MSAGZ52F120A , MSAGZ52F120B , MSAHX60F60A , MSAHX60F60B , MSAHX75L60C , MSAHX75L60D , MSAHZ52F120A , MBQ50T65FESC , NTE3311 , NTE3312 , NTE3320 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A .

 

 
Back to Top