NTE3320 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: NTE3320  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для NTE3320

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NTE3320 даташит

 ..1. Size:43K  no
 nte3320.pdf pdf_icon

NTE3320

NTE3320 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D Fourth Generation IGBT D Enhancement Mode Type D High Speed D Low Switching Loss D Low Saturation Voltage Applications D High Power Switching Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.1. Size:58K  1
 nte3321.pdf pdf_icon

NTE3320

NTE3321 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch TO3P Type Package Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching Absolute Maximum Ratings (TA = +25_C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.2. Size:45K  no
 nte3323.pdf pdf_icon

NTE3320

NTE3323 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.3. Size:69K  no
 nte3322.pdf pdf_icon

NTE3320

NTE3322 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch TO3PBL Features D Enhancemnt Mode Type D FRD Included Bwetwen Emitter and Collector D High Speed D Low Saturation Voltage Applications D High Power Switching Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MSAHX60F60A, MSAHX60F60B, MSAHX75L60C, MSAHX75L60D, MSAHZ52F120A, MSAHZ52F120B, NTE3311, NTE3312, IKW30N60H3, NTE3321, NTE3322, NTE3323, P12N60C3, PPNGZ52F120A, PPNGZ52F120B, PPNHZ52F120A, PPNHZ52F120B