Справочник IGBT. NTE3320

 

NTE3320 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: NTE3320

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Емкость коллектора (Cc), pf: 3500

Аналог (замена) для NTE3320

 

 

NTE3320 Datasheet (PDF)

0.1. nte3320.pdf Size:43K _no

NTE3320
NTE3320

NTE3320Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchFeatures:D Fourth Generation IGBTD Enhancement Mode TypeD High SpeedD Low Switching LossD Low Saturation VoltageApplications:D High Power SwitchingAbsolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

8.1. nte3323.pdf Size:45K _no

NTE3320
NTE3320

NTE3323Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchFeatures:D High Input ImpedanceD High SpeedD Low Saturation VoltageD Enhancement ModeApplications:D High Power SwitchingD Motor ControlAbsolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

8.2. nte3322.pdf Size:69K _no

NTE3320
NTE3320

NTE3322Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchTO3PBLFeatures:D Enhancemnt Mode TypeD FRD Included Bwetwen Emitter and CollectorD High SpeedD Low Saturation VoltageApplications:D High Power SwitchingAbsolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Другие IGBT... MSAHX60F60A , MSAHX60F60B , MSAHX75L60C , MSAHX75L60D , MSAHZ52F120A , MSAHZ52F120B , NTE3311 , NTE3312 , IRGB20B60PD1 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , PPNGZ52F120B , PPNHZ52F120A , PPNHZ52F120B .

 

 
Back to Top