NTE3320 - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

NTE3320 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: NTE3320
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для NTE3320

 

NTE3320 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  no
 nte3320.pdf pdf_icon

NTE3320

NTE3320 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D Fourth Generation IGBT D Enhancement Mode Type D High Speed D Low Switching Loss D Low Saturation Voltage Applications D High Power Switching Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.1. Size:58K  1
 nte3321.pdf pdf_icon

NTE3320

NTE3321 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch TO3P Type Package Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching Absolute Maximum Ratings (TA = +25_C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.2. Size:45K  no
 nte3323.pdf pdf_icon

NTE3320

NTE3323 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.3. Size:69K  no
 nte3322.pdf pdf_icon

NTE3320

NTE3322 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch TO3PBL Features D Enhancemnt Mode Type D FRD Included Bwetwen Emitter and Collector D High Speed D Low Saturation Voltage Applications D High Power Switching Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MSAHX60F60A , MSAHX60F60B , MSAHX75L60C , MSAHX75L60D , MSAHZ52F120A , MSAHZ52F120B , NTE3311 , NTE3312 , IRG4PC50UD , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , PPNGZ52F120B , PPNHZ52F120A , PPNHZ52F120B .

History: PPNHZ52F120A

 

 
Back to Top

 


 
.