Справочник IGBT. NTE3321

 

NTE3321 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: NTE3321

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Емкость коллектора (Cc), pf: 5500

Аналог (замена) для NTE3321

 

 

NTE3321 Datasheet (PDF)

4.1. nte3323.pdf Size:45K _no

NTE3321
NTE3321

NTE3323 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features: D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications: D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.2. nte3320.pdf Size:43K _no

NTE3321
NTE3321

NTE3320 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features: D Fourth Generation IGBT D Enhancement Mode Type D High Speed D Low Switching Loss D Low Saturation Voltage Applications: D High Power Switching Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 4.3. nte3322.pdf Size:69K _no

NTE3321
NTE3321

NTE3322 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch TO3PBL Features: D Enhancemnt Mode Type D FRD Included Bwetwen Emitter and Collector D High Speed D Low Saturation Voltage Applications: D High Power Switching Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Другие IGBT... MSAHX60F60B , MSAHX75L60C , MSAHX75L60D , MSAHZ52F120A , MSAHZ52F120B , NTE3311 , NTE3312 , NTE3320 , SGH80N60UFD , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , PPNGZ52F120B , PPNHZ52F120A , PPNHZ52F120B , RCH10N35 .

 

 
Back to Top