Справочник IGBT. PPNHZ52F120B

 

PPNHZ52F120B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: PPNHZ52F120B

Тип управляющего канала: P-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.2

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 52

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 110

Емкость коллектора (Cc), pf: 2200pF

Тип корпуса: TO258

Аналог (замена) для PPNHZ52F120B

 

 

PPNHZ52F120B Datasheet (PDF)

3.1. ppnhz52f120a.pdf Size:88K _microsemi

PPNHZ52F120B
PPNHZ52F120B

7516 Central Industrial DrivePPC INC.Riviera Beach, FL 33404PH: 561-842-0305PPNGZ52F120AFax: 561-845-7813PPNHZ52F120AFeatures Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed package Low package inductance Very low thermal resistanceTO-258 Reverse polarity available upon request: PPNH(G)Z52F120

Другие IGBT... NTE3320 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , PPNGZ52F120B , PPNHZ52F120A , IKW40T120 , RCH10N35 , RCH10N40 , RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A , RCP10N35 , RCP10N40 .

 

 
Back to Top