PPNHZ52F120B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: PPNHZ52F120B
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 300
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 52
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 3.2
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 110
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 2200pF
Тип корпуса: TO258
Аналог (замена) для PPNHZ52F120B
PPNHZ52F120B Datasheet (PDF)
ppnhz52f120a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
7516 Central Industrial DrivePPC INC.Riviera Beach, FL 33404PH: 561-842-0305PPNGZ52F120AFax: 561-845-7813PPNHZ52F120AFeatures Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed package Low package inductance Very low thermal resistanceTO-258 Reverse polarity available upon request: PPNH(G)Z52F120
Другие IGBT... NTE3320 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , PPNGZ52F120B , PPNHZ52F120A , IRGP4063 , RCH10N35 , RCH10N40 , RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A , RCP10N35 , RCP10N40 .
![PPNHZ52F120B](https://alltransistors.com/images/us.png)
![PPNHZ52F120B](https://alltransistors.com/images/es.png)
![PPNHZ52F120B](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ