Справочник IGBT. PPNHZ52F120B

 

PPNHZ52F120B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: PPNHZ52F120B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: P
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 110 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2200pF pF
   Тип корпуса: TO258

 Аналог (замена) для PPNHZ52F120B

 

 

PPNHZ52F120B Datasheet (PDF)

 3.1. Size:88K  microsemi
 ppnhz52f120a.pdf

PPNHZ52F120B PPNHZ52F120B

7516 Central Industrial DrivePPC INC.Riviera Beach, FL 33404PH: 561-842-0305PPNGZ52F120AFax: 561-845-7813PPNHZ52F120AFeatures Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed package Low package inductance Very low thermal resistanceTO-258 Reverse polarity available upon request: PPNH(G)Z52F120

Другие IGBT... NTE3320 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , PPNGZ52F120B , PPNHZ52F120A , IRGP4062D , RCH10N35 , RCH10N40 , RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A , RCP10N35 , RCP10N40 .

 

 
Back to Top