RCH10N40 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: RCH10N40
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 75
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 400
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 4.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 100
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 800pF
Тип корпуса: TO218
RCH10N40 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие IGBT... NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , PPNGZ52F120B , PPNHZ52F120A , PPNHZ52F120B , RCH10N35 , TGAN20N135FD , RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A , RCP10N35 , RCP10N40 , RCP10N40A , OST50N65H4EWF .
![RCH10N40](https://alltransistors.com/images/us.png)
![RCH10N40](https://alltransistors.com/images/es.png)
![RCH10N40](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ