RCM10N35 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RCM10N35  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 350 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800pF pF

Тип корпуса: TO204

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RCM10N35

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RCM10N35 даташит

No data!

Другие IGBT... P12N60C3, PPNGZ52F120A, PPNGZ52F120B, PPNHZ52F120A, PPNHZ52F120B, RCH10N35, RCH10N40, RCH10N40A, RJH60F7BDPQ-A0, RCM10N40, RCM10N40A, RCP10N35, RCP10N40, RCP10N40A, OST50N65H4EWF, SGF15N90D, SGF30N60RUF