OST50N65H4EWF аналоги, datasheet, параметры транзистора

OST50N65H4EWF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: OST50N65H4EWF 📄📄

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 88 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 194 pF

Тип корпуса: TO247-4L

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для OST50N65H4EWF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

OST50N65H4EWF даташит

..1. Size:755K oriental semi
ost50n65h4ewf.pdf pdf_icon

5.1. Size:732K oriental semi
ost50n65hmf.pdf pdf_icon

OST50N65HMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST50N65HMF uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

5.2. Size:535K oriental semi
ost50n65hf-d.pdf pdf_icon

OST50N65HF-D Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST50N65HF-D uses advanced Oriental-Semi s patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CE performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

5.3. Size:756K oriental semi
ost50n65hewf.pdf pdf_icon