Справочник IGBT. SGF80N60UF

 

SGF80N60UF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGF80N60UF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 350 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 175 nC
   Тип корпуса: TO3PF
 

 Аналог (замена) для SGF80N60UF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGF80N60UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:567K  fairchild semi
 sgf80n60uf.pdf pdf_icon

SGF80N60UF

October 2001 IGBTSGF80N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF High Speed Switchingseries provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40AUF series is designed for the applications such as motor High Input Impedancecontrol and general inverters where High

 0.1. Size:192K  1
 sgf80n60ufd.pdf pdf_icon

SGF80N60UF

Другие IGBT... RCP10N40A , OST50N65H4EWF , SGF15N90D , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF , SGF40N60UFD , SGF5N150UF , IRG4PC40W , SGF80N60UFD , SGH10N120RUF , SGH10N120RUFD , SGH10N60RUFD , SGH13N60UFD , SGH15N120RUF , SGH15N120RUFD , SGH15N60RUFD .

History: HGT1S12N60C3S9A

 

 
Back to Top

 


 
.