SGF80N60UF - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SGF80N60UF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 350 pF
Тип корпуса: TO3PF
Аналог (замена) для SGF80N60UF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SGF80N60UF даташит
sgf80n60uf.pdf
October 2001 IGBT SGF80N60UF Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF High Speed Switching series provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A UF series is designed for the applications such as motor High Input Impedance control and general inverters where High
Другие IGBT... RCP10N40A , OST50N65H4EWF , SGF15N90D , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF , SGF40N60UFD , SGF5N150UF , IRGB20B60PD1 , SGF80N60UFD , SGH10N120RUF , SGH10N120RUFD , SGH10N60RUFD , SGH13N60UFD , SGH15N120RUF , SGH15N120RUFD , SGH15N60RUFD .
History: SKM145GAX123D | SKM145GAR123D | VS-GB400AH120U | VS-GB75LA60UF | VS-GB50LP120N | AP50G60SW
History: SKM145GAX123D | SKM145GAR123D | VS-GB400AH120U | VS-GB75LA60UF | VS-GB50LP120N | AP50G60SW
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor