Справочник IGBT. SGF80N60UF

 

SGF80N60UF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGF80N60UF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 110
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 50
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 350
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 175
   Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для SGF80N60UF

 

 

SGF80N60UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:567K  fairchild semi
 sgf80n60uf.pdf

SGF80N60UF SGF80N60UF

October 2001 IGBTSGF80N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF High Speed Switchingseries provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40AUF series is designed for the applications such as motor High Input Impedancecontrol and general inverters where High

 0.1. Size:192K  1
 sgf80n60ufd.pdf

SGF80N60UF SGF80N60UF

Другие IGBT... RCP10N40A , OST50N65H4EWF , SGF15N90D , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF , SGF40N60UFD , SGF5N150UF , IRG4PC50UD , SGF80N60UFD , SGH10N120RUF , SGH10N120RUFD , SGH10N60RUFD , SGH13N60UFD , SGH15N120RUF , SGH15N120RUFD , SGH15N60RUFD .

 

 
Back to Top