Справочник IGBT. SGH5N120RUF

 

SGH5N120RUF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGH5N120RUF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 28 nC
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для SGH5N120RUF

 

 

SGH5N120RUF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  1
 sgh5n120ruf.pdf

SGH5N120RUF SGH5N120RUF

IGBTSGH5N120RUFShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUF series of Insulated Gate Bipolar Transistors Short circuit rated 10s @ TC = 100C, VGE = 15V(IGBTs) provides low conduction and switching losses as High speed switchingwell as short circuit ruggedness. The RUF series is Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 5Adesigned for

 0.1. Size:551K  fairchild semi
 sgh5n120rufd.pdf

SGH5N120RUF SGH5N120RUF

September 2000 IGBTSGH5N120RUFDShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) RUFD Short Circuit Rated 10s @ TC = 100C, VGE = 15Vseries provides low conduction and switching losses as well High Speed Switchingas short circuit ruggedness. RUFD series is designed for Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.3 V @

Другие IGBT... SGH20N120RUFD , SGH20N60RUFD , SGH23N60UFD , SGH25N120RUF , SGH30N60RUF , SGH30N60RUFD , SGH40N60UF , SGH40N60UFD , SGT50T65FD1PT , SGH5N120RUFD , SGH80N60UF , SGH80N60UFD , SGI25N40 , SGL10N60RUFD , SGL15N60RUFD , SGL160N60UFD , SGL20N60RUFD .

 

 
Back to Top