SGH5N120RUF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGH5N120RUF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGH5N120RUF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGH5N120RUF даташит

 ..1. Size:495K  1
 sgh5n120ruf.pdf pdf_icon

SGH5N120RUF

IGBT SGH5N120RUF Short Circuit Rated IGBT General Description Features Fairchild's RUF series of Insulated Gate Bipolar Transistors Short circuit rated 10 s @ TC = 100 C, VGE = 15V (IGBTs) provides low conduction and switching losses as High speed switching well as short circuit ruggedness. The RUF series is Low saturation voltage VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 5A designed for

 0.1. Size:551K  fairchild semi
 sgh5n120rufd.pdf pdf_icon

SGH5N120RUF

September 2000 IGBT SGH5N120RUFD Short Circuit Rated IGBT General Description Features Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) RUFD Short Circuit Rated 10 s @ TC = 100 C, VGE = 15V series provides low conduction and switching losses as well High Speed Switching as short circuit ruggedness. RUFD series is designed for Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.3 V @

Другие IGBT... SGH20N120RUFD, SGH20N60RUFD, SGH23N60UFD, SGH25N120RUF, SGH30N60RUF, SGH30N60RUFD, SGH40N60UF, SGH40N60UFD, GT50JR22, SGH5N120RUFD, SGH80N60UF, SGH80N60UFD, SGI25N40, SGL10N60RUFD, SGL15N60RUFD, SGL160N60UFD, SGL20N60RUFD