SGL60N90DG3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGL60N90DG3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 450 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
Тип корпуса: TO264
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SGL60N90DG3 Datasheet (PDF)
sgl60n90dg3.pdf

September 2000 IGBTSGL60N90DG3General Description FeaturesInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with trench gate High Speed Switchingstructure have superior performance in conduction and Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.0 V @ IC = 60Aswitching to planar gate structure, and also have wide noise High Input Impedanceimmunity. These devices are well suitable for
sgl60n90dg3.pdf

N-CHANNEL IGBTSGL60N90DG3FEATURESTO-264* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.0 V (at Ic=60A)1* High Input Impedance* Built in Fast Recovery DiodeCAPPLICATIONS* Home ApplianceG - Induction Heater - IH JAR - Micro Wave Oven EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Characteristics UnitRatingVCESCollector-Emitter Voltage V900VGEGa
sgl60n90d.pdf

IGBT CO-PAK SGL60N90DFEATURESTO-264* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.7 V (at Ic=60A)1* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* Home Appliance - Induction HeaterG - IH JAR - Micro Wave Oven EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Characteristics UnitRatingVCESCollector-Emitter Voltage V900VGEGate - Emitter Voltage V 25ICCon
Другие IGBT... SGL20N60RUFD , SGL25N120RUFD , SGL30N60RUFD , SGL40N150 , SGL40N150D , SGL50N60RUFD , SGL5N60RUFD , SGL60N90D , FGA60N65SMD , SGP10N60RUF , SGP13N60UF , SGP13N60UFD , SGP15N60RUF , SGP20N60RUF , SGP23N60UF , SGP40N60UF , SGP5N60RUF .
History: SGM50PA12A6BTFD | AUIRGS4062D1 | IXGP12N100
History: SGM50PA12A6BTFD | AUIRGS4062D1 | IXGP12N100



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n