SGP10N60RUF - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

SGP10N60RUF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGP10N60RUF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 58 pF
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SGP10N60RUF

SGP10N60RUF Datasheet (PDF)

..1. Size:231K samsung
sgp10n60ruf.pdf

N-CHANNEL IGBT SGP10N60RUFFEATURESTO-220* Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.95 V @ Ic=10A* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose InvertersG* Robotics , Servo Controls* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVC

0.1. Size:615K fairchild semi
sgp10n60rufd.pdf

IGBTSGP10N60RUFDShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUFD series of Insulated Gate Bipolar Short circuit rated 10us @ TC = 100C, VGE = 15VTransistors (IGBTs) provide low conduction and switching High speed switchinglosses as well as short circuit ruggedness. The RUFD Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 10Aseries is designed f

0.2. Size:272K samsung
sgp10n60rufd.pdf

CO-PAK IGBT SGP10N60RUFDFEATURESTO-220* Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ Ic=10A* High Input Impedance* CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 50nS (Typ)CAPPLICATIONS* AC & DC Motor controlsG* General Purpose Inverters* Robotics , Servo Controls* Power Supply E* Lamp BallastABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

6.1. Size:321K infineon
sgp10n60a sgw10n60a rev2.pdf

SGP10N60A SGW10N60AFast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses G Short circuit withstand time 10 s E Designed for: - Motor controls - Inverter PG-TO-247-3 NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable b

6.2. Size:319K infineon
sgp10n60a.pdf