SGS13N60UF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGS13N60UF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 13 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 25 nC
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SGS13N60UF
SGS13N60UF Datasheet (PDF)
sgs13n60uf.pdf
April 2001 IGBTSGS13N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 6.5AThe UF series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters where
sgs13n60ufd.pdf
April 2001 IGBTSGS13N60UFDUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 6.5AThe UFD series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters whe
Другие IGBT... SGP6N60UFD , SGR15N40L , SGR20N40L , SGR2N60UFD , SGR5N60RUF , SGR6N60UF , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , NGD8201N , SGS13N60UFD , SGS23N60UF , SGS23N60UFD , SGS5N60RUF , SGS5N60RUFD , SGS6N60UF , SGS6N60UFD , SGU15N40L .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2