SGS23N60UF - аналоги и описание IGBT

 

SGS23N60UF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGS23N60UF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SGS23N60UF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGS23N60UF даташит

 ..1. Size:571K  1
sgs23n60uf.pdfpdf_icon

SGS23N60UF

April 2001 IGBT SGS23N60UF Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching (IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 12A The UF series is designed for applications such as motor High input impedance control and general inverters where h

 0.1. Size:593K  fairchild semi
sgs23n60ufd.pdfpdf_icon

SGS23N60UF

April 2001 IGBT SGS23N60UFD Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching (IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 12A The UFD series is designed for applications such as motor High input impedance control and general inverters wher

Другие IGBT... SGR20N40L , SGR2N60UFD , SGR5N60RUF , SGR6N60UF , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF , SGS13N60UFD , YGW40N65F1 , SGS23N60UFD , SGS5N60RUF , SGS5N60RUFD , SGS6N60UF , SGS6N60UFD , SGU15N40L , SGU1N60XFD , SGU20N40L .

History: MPBQ120N65GSF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.