Справочник IGBT. SGS6N60UF

 

SGS6N60UF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGS6N60UF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 22 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SGS6N60UF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGS6N60UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  1
 sgs6n60uf.pdf pdf_icon

SGS6N60UF

April 2001 IGBTSGS6N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 3AThe UF series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters where hig

 0.1. Size:623K  1
 sgs6n60ufd.pdf pdf_icon

SGS6N60UF

April 2001 IGBTSGS6N60UFDUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 3AThe UFD series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters where

Другие IGBT... SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF , SGS13N60UFD , SGS23N60UF , SGS23N60UFD , SGS5N60RUF , SGS5N60RUFD , CRG60T60AK3HD , SGS6N60UFD , SGU15N40L , SGU1N60XFD , SGU20N40L , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , SGW23N60UF , SGW5N60RUF .

 

 
Back to Top

 


 
.