SGS6N60UF - аналоги и описание IGBT

 

SGS6N60UF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGS6N60UF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 22 pF

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SGS6N60UF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGS6N60UF даташит

 ..1. Size:562K  1
sgs6n60uf.pdfpdf_icon

SGS6N60UF

April 2001 IGBT SGS6N60UF Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching (IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 3A The UF series is designed for applications such as motor High input impedance control and general inverters where hig

 0.1. Size:623K  1
sgs6n60ufd.pdfpdf_icon

SGS6N60UF

April 2001 IGBT SGS6N60UFD Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching (IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 3A The UFD series is designed for applications such as motor High input impedance control and general inverters where

Другие IGBT... SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF , SGS13N60UFD , SGS23N60UF , SGS23N60UFD , SGS5N60RUF , SGS5N60RUFD , IKW50N60H3 , SGS6N60UFD , SGU15N40L , SGU1N60XFD , SGU20N40L , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , SGW23N60UF , SGW5N60RUF .

History: SGS5N60RUFD | SGS23N60UFD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.