Справочник IGBT. SGW6N60UFD

 

SGW6N60UFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGW6N60UFD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGW6N60UFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  samsung
 sgw6n60ufd.pdf pdf_icon

SGW6N60UFD

N-CHANNEL IGBT SGW6N60UFDFEATURESD2-PAK* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=3A)* High Input Impedance*CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 35nS (typ.)APPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose InvertersG* Robotics , Servo Controls* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteri

 5.1. Size:219K  samsung
 sgw6n60uf.pdf pdf_icon

SGW6N60UFD

N-CHANNEL IGBT SGW6N60UFFEATURESD2-PAK* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=3A)* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose Inverters* Robotics , Servo ControlsG* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVCES 600 VCollector-Emitter VoltageVG

Другие IGBT... SGU1N60XFD , SGU20N40L , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , SGW23N60UF , SGW5N60RUF , SGW5N60RUFD , SGW6N60UF , IHW40T60 , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA , HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D , SKM100GAR123D , SKM100GAX173D , SKM100GAY173D , SKM100GB063D .

History: 2MBI200TA-060 | ISL9V3036S3S | IQGB228N120GB4 | 2MBI200NT-120-02 | IXXK200N65B4 | SRE100N065FSUD6

 

 
Back to Top

 


 
.