SGW6N60UFD - аналоги и описание IGBT

 

SGW6N60UFD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGW6N60UFD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SGW6N60UFD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGW6N60UFD даташит

 ..1. Size:268K  samsung
 sgw6n60ufd.pdf pdf_icon

SGW6N60UFD

N-CHANNEL IGBT SGW6N60UFD FEATURES D2-PAK * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=3A) * High Input Impedance *CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 35nS (typ.) APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters G * Robotics , Servo Controls * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteri

 5.1. Size:219K  samsung
 sgw6n60uf.pdf pdf_icon

SGW6N60UFD

N-CHANNEL IGBT SGW6N60UF FEATURES D2-PAK * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=3A) * High Input Impedance APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls G * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteristics VCES 600 V Collector-Emitter Voltage VG

Другие IGBT... SGU1N60XFD , SGU20N40L , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , SGW23N60UF , SGW5N60RUF , SGW5N60RUFD , SGW6N60UF , TGAN20N135FD , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA , HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D , SKM100GAR123D , SKM100GAX173D , SKM100GAY173D , SKM100GB063D .

History: SGM50HF12A1TFDT4 | SPT25N135F1A | SII300N06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.