Справочник IGBT. SKM145GB174DN

 

SKM145GB174DN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM145GB174DN
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 860 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1100 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM145GB174DN

 

 

SKM145GB174DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  semikron
 skm145gal174dn skm145gb174dn.pdf

SKM145GB174DN SKM145GB174DN

 4.1. Size:798K  semikron
 skm145gb176d.pdf

SKM145GB174DN SKM145GB174DN

 5.1. Size:641K  semikron
 skm145gal124dn skm145gb124dn.pdf

SKM145GB174DN SKM145GB174DN

 5.2. Size:644K  semikron
 skm145gb123d.pdf

SKM145GB174DN SKM145GB174DN

 5.3. Size:126K  semikron
 skm145gb124d.pdf

SKM145GB174DN SKM145GB174DN

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesLow Loss IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1200 VVCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 145 GB 124 DIC Tcase = 25/70 C 190 / 145 AICM Tcase = 25/70 C; tp = 1 ms 380 / 290 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 800 WTj, (Tstg) 40 ... + 150 (125) CVisol AC, 1 min. 2 500 Vhumidity DIN 40040 Class Fclimate DIN IEC

Другие IGBT... SKM145GAL174DN , SKM145GAR123D , SKM145GAX123D , SKM145GAY123D , SKM145GB063DN , SKM145GB123D , SKM145GB124D , SKM145GB124DN , IKW40N65WR5 , SKM150GAL123D , SKM150GAR123D , SKM150GB063D , SKM150GB123D , SKM150GB124D , SKM150GB125D , SKM150GB173D , SKM150GB174D .

 

 
Back to Top