Справочник IGBT. SKM195GAL124DN

 

SKM195GAL124DN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM195GAL124DN
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 260 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1600 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKM195GAL124DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:671K  semikron
 skm195gal124dn skm195gb124dn.pdf pdf_icon

SKM195GAL124DN

 3.1. Size:790K  semikron
 skm195gal126d.pdf pdf_icon

SKM195GAL124DN

 5.1. Size:668K  semikron
 skm195gal063dn skm195gar063dn skm195gb063dn.pdf pdf_icon

SKM195GAL124DN

 5.2. Size:137K  semikron
 skm195gal062d skm195gb062d.pdf pdf_icon

SKM195GAL124DN

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesPT-IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 600 VVCGR RGE = 20 k 600 V SKM 195 GB 062 DIC Tcase = 25/60 C 230 / 195 ASKM 195 GAL 062 D 6)ICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 460 / 390 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 700 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2 500 Vhumidity DIN 40 040 Class Fcl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM150GB063D , SKM150GB123D , SKM150GB124D , SKM150GB125D , SKM150GB173D , SKM150GB174D , SKM195GAL062D , SKM195GAL063DN , IRGP4063 , SKM195GAR063DN , SKM195GB062D , SKM195GB063DN , SKM195GB124DN , SKM200GA123D , SKM200GAL123D , SKM200GAL173D , SKM200GAR123D .

History: F3L300R12ME4-B22 | IXGP20N120B3 | IXGM40N60 | MMG150S060B6R | APTGT200DA170D3 | IXA20PT1200LB | FD400R65KF1-K

 

 
Back to Top

 


 
.