SKM195GAL124DN - аналоги и описание IGBT

 

SKM195GAL124DN - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM195GAL124DN

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 260 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1600 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM195GAL124DN

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM195GAL124DN даташит

 ..1. Size:671K  semikron
 skm195gal124dn skm195gb124dn.pdf pdf_icon

SKM195GAL124DN

 3.1. Size:790K  semikron
 skm195gal126d.pdf pdf_icon

SKM195GAL124DN

 5.1. Size:668K  semikron
 skm195gal063dn skm195gar063dn skm195gb063dn.pdf pdf_icon

SKM195GAL124DN

 5.2. Size:137K  semikron
 skm195gal062d skm195gb062d.pdf pdf_icon

SKM195GAL124DN

SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values PT-IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 600 V VCGR RGE = 20 k 600 V SKM 195 GB 062 D IC Tcase = 25/60 C 230 / 195 A SKM 195 GAL 062 D 6) ICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 460 / 390 A VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 700 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 2 500 V humidity DIN 40 040 Class F cl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM150GB063D , SKM150GB123D , SKM150GB124D , SKM150GB125D , SKM150GB173D , SKM150GB174D , SKM195GAL062D , SKM195GAL063DN , CRG40T65AK5HD , SKM195GAR063DN , SKM195GB062D , SKM195GB063DN , SKM195GB124DN , SKM200GA123D , SKM200GAL123D , SKM200GAL173D , SKM200GAR123D .

History: AOK40B65HQ2 | JT015N065CED | SKM150GM12T4G | RGPR20NS43

 

 

 

 

↑ Back to Top
.