BUK9506-75B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK9506-75B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для BUK9506-75B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9506-75B даташит

 ..1. Size:333K  philips
 buk9506-75b buk9606-75b.pdf pdf_icon

BUK9506-75B

BUK95/9606-75B TrenchMOS logic level FET Rev. 02 30 September 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Philips High-Performance Automotive TrenchMOS technology. Product availability BUK9506-75B in SOT78 (TO-220AB) BUK9606-75B in SOT404 (D2-PAK). 1.2 Features Very low on-state r

 6.1. Size:332K  philips
 buk9506-55a.pdf pdf_icon

BUK9506-75B

BUK9506-55A; BUK9606-55A; BUK9E06-55A TrenchMOS logic level FET Rev. 03 23 July 2001 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK9506-55A in SOT78 (TO-220AB); BUK9606-55A in SOT404 (D2-PAK); BUK9E06-55A in SOT226 (I2-PAK).

 6.2. Size:48K  philips
 buk9506-30 1.pdf pdf_icon

BUK9506-75B

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9506-30 Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 30 V technology. The device features very ID Drain current (DC) 75 A low on-state resist

 7.1. Size:66K  philips
 buk9506 buk9606-55a 2.pdf pdf_icon

BUK9506-75B

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9506-55A Logic level FET BUK9606-55A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope available in VDS Drain-source voltage 55 V TO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 75 A trench technolo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUK9240-100A, BUK9245-55A, BUK9275-100A, BUK9277-55A, BUK9504-40A, BUK9505-30A, BUK9506-40B, BUK9506-55B, 50N06, BUK9507-30B, BUK9508-55B, BUK9509-40B, BUK9509-75A, BUK9510-100B, BUK9510-55A, BUK9511-55A, BUK9512-55B