Справочник MOSFET. BUK9514-55A

 

BUK9514-55A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK9514-55A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 149 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для BUK9514-55A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9514-55A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  philips
buk9514-55a buk9614-55a.pdfpdf_icon

BUK9514-55A

BUK9514-55A; BUK9614-55ATrenchMOS logic level FETRev. 01 7 Feb 2001 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK9514-55A in SOT78 (TO-220AB)BUK9614-55A in SOT404 (D 2-PAK).2. Features TrenchMOS technology

 4.1. Size:53K  philips
buk9514-55 2.pdfpdf_icon

BUK9514-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9514-55 Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 55 Vtechnology. The device features very ID Drain current (DC) 68 Alow on-state resist

 6.1. Size:47K  philips
buk9514-30 1.pdfpdf_icon

BUK9514-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9514-30 Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 30 Vtechnology. The device features very ID Drain current (DC) 69 Alow on-state resist

 8.1. Size:68K  philips
buk95180-100a buk96180-100a.pdfpdf_icon

BUK9514-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK95180-100A Logic level FET BUK96180-100AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope available in VDS Drain-source voltage 100 VTO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 11 Atrench tec

Другие MOSFET... BUK9507-30B , BUK9508-55B , BUK9509-40B , BUK9509-75A , BUK9510-100B , BUK9510-55A , BUK9511-55A , BUK9512-55B , IRF3710 , BUK95150-55A , BUK9515-100A , BUK9516-55A , BUK9516-75B , BUK95180-100A , BUK9518-55A , BUK9520-100A , BUK9520-100B .

History: OSG65R069HF | BUK7Y13-40B | STW11NK90Z | NCE0157A2D

 

 
Back to Top

 


 
.