BUK9609-75A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK9609-75A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для BUK9609-75A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9609-75A даташит

 ..1. Size:751K  nxp
 buk9609-75a.pdf pdf_icon

BUK9609-75A

BUK9609-75A N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 4 30 August 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Feature

 6.1. Size:313K  philips
 buk9509-55a buk9509-55a buk9609-55a.pdf pdf_icon

BUK9609-75A

BUK95/9609-55A TrenchMOS logic level FET Rev. 01 21 February 2002 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK9509-55A in SOT78 (TO-220AB) BUK9609-55A in SOT404 (D2-PAK). 2. Features TrenchMOS technology Q101 complia

 6.2. Size:976K  nxp
 buk9609-40b.pdf pdf_icon

BUK9609-75A

BUK9609-40B N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 7 June 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features

 7.1. Size:326K  philips
 buk9509 buk9609 75a-02.pdf pdf_icon

BUK9609-75A

BUK9509-75A; BUK9609-75A TrenchMOS logic level FET Rev. 02 06 November 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK9509-75A in SOT78 (TO-220AB) BUK9609-75A in SOT404 (D 2-PAK). 2. Features TrenchMOS techn

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUK9606-55A, BUK9606-55B, BUK9606-75B, BUK9607-30B, BUK9608-55A, BUK9608-55B, BUK9609-40B, BUK9609-55A, IRFB3607, BUK9610-100B, BUK9610-55A, BUK9611-55A, BUK9612-55B, BUK9614-55A, BUK9615-100A, BUK9616-55A, BUK9616-75B