Справочник MOSFET. BUK9635-100A

 

BUK9635-100A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK9635-100A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 149 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9635-100A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  philips
buk9635-100a 1.pdfpdf_icon

BUK9635-100A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9635-100A Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 100 Vmounting. Using trench technology ID Drain current (DC) 40 Athe device

 ..2. Size:337K  philips
buk9535-100a buk9635-100a.pdfpdf_icon

BUK9635-100A

BUK9535-100A;BUK9635-100ATrenchMOS logic level FETRev. 01 22 January 2001 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK9535-100A in SOT78 (TO-220AB)BUK9635-100A in SOT404 (D 2-PAK).2. Features TrenchMOS t

 6.1. Size:56K  philips
buk9635-55 2.pdfpdf_icon

BUK9635-100A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9635-55 Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. Using trench technology ID Drain current (DC) 34 Athe device fea

 6.2. Size:71K  philips
buk9535-55a buk9635-55a.pdfpdf_icon

BUK9635-100A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9535-55A Logic level FET BUK9635-55AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope available in VDS Drain-source voltage 55 VTO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 34 Atrench technolo

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.