PH2520U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH2520U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH2520U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH2520U даташит

 ..1. Size:196K  philips
 ph2520u.pdf pdf_icon

PH2520U

PH2520U N-channel TrenchMOS ultra low level FET Rev. 03 2 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Featur

 9.1. Size:97K  nxp
 ph2525l.pdf pdf_icon

PH2520U

PH2525L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 5 December 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Lead-free package Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conduction converters losse

Другие IGBT... NX3008NBKT, NX3008NBKV, NX3008NBKW, NX3008PBK, NX3008PBKS, NX3008PBKT, NX3008PBKV, NX3008PBKW, AO3401, PH2925U, PH3120L, PHB110NQ08T, PHB18NQ10T, PHB191NQ06LT, PHB20N06T, PHB20NQ20T, PHB27NQ10T