PHB110NQ08T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB110NQ08T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для PHB110NQ08T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB110NQ08T даташит

 ..1. Size:89K  philips
 php110nq08t phb110nq08t.pdf pdf_icon

PHB110NQ08T

PHP/PHB110NQ08T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 29 March 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies D

 ..2. Size:674K  nxp
 phb110nq08t.pdf pdf_icon

PHB110NQ08T

PHB110NQ08T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 12 October 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 F

 4.1. Size:89K  philips
 phb110nq08lt php110nq08lt.pdf pdf_icon

PHB110NQ08T

PHP/PHB110NQ08LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 29 March 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies

 5.1. Size:209K  philips
 phb110nq06lt.pdf pdf_icon

PHB110NQ08T

PHB110NQ06LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 4 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NX3008PBK, NX3008PBKS, NX3008PBKT, NX3008PBKV, NX3008PBKW, PH2520U, PH2925U, PH3120L, 4435, PHB18NQ10T, PHB191NQ06LT, PHB20N06T, PHB20NQ20T, PHB27NQ10T, PHB29N08T, PHB32N06LT, PHB33NQ20T