PHB47NQ10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB47NQ10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для PHB47NQ10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB47NQ10T даташит

 ..1. Size:315K  nxp
 phb47nq10t.pdf pdf_icon

PHB47NQ10T

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

Другие IGBT... PHB20N06T, PHB20NQ20T, PHB27NQ10T, PHB29N08T, PHB32N06LT, PHB33NQ20T, PHB45NQ10T, PHB45NQ15T, IRF530, PHB66NQ03LT, PHC21025, PHC2300, PHD101NQ03LT, PHD20N06T, PHD38N02LT, PHD71NQ03LT, PHD97NQ03LT