PHD20N06T - аналоги и даташиты транзистора

 

PHD20N06T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHD20N06T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD20N06T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD20N06T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:855K  nxp
 phd20n06t.pdf pdf_icon

PHD20N06T

PHD20N06TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 1 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fea

Другие MOSFET... PHB33NQ20T , PHB45NQ10T , PHB45NQ15T , PHB47NQ10T , PHB66NQ03LT , PHC21025 , PHC2300 , PHD101NQ03LT , IRF1407 , PHD38N02LT , PHD71NQ03LT , PHD97NQ03LT , PHD9NQ20T , PHK04P02T , PHK12NQ03LT , PHK12NQ10T , PHK13N03LT .

History: IPI120N06S4-H1 | NTLJS2103PTAG

 

 
Back to Top

 


 
.