PHK12NQ10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHK12NQ10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для PHK12NQ10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHK12NQ10T даташит

 7.1. Size:823K  cn vbsemi
 phk12nq03l.pdf pdf_icon

PHK12NQ10T

PHK12NQ03L www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch

Другие IGBT... PHD101NQ03LT, PHD20N06T, PHD38N02LT, PHD71NQ03LT, PHD97NQ03LT, PHD9NQ20T, PHK04P02T, PHK12NQ03LT, 2SK3568, PHK13N03LT, PHK18NQ03LT, PHK28NQ03LT, PHK31NQ03LT, PHK5NQ15T, PHKD13N03LT, PHKD3NQ10T, PHKD6N02LT