Справочник MOSFET. PHKD13N03LT

 

PHKD13N03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHKD13N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.4 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для PHKD13N03LT

 

 

PHKD13N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  philips
 phkd13n03lt.pdf

PHKD13N03LT PHKD13N03LT

PHKD13N03LTDual N-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 27 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top