PHKD13N03LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHKD13N03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.4 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для PHKD13N03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHKD13N03LT даташит

 ..1. Size:195K  philips
 phkd13n03lt.pdf pdf_icon

PHKD13N03LT

PHKD13N03LT Dual N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 27 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2

Другие IGBT... PHK04P02T, PHK12NQ03LT, PHK12NQ10T, PHK13N03LT, PHK18NQ03LT, PHK28NQ03LT, PHK31NQ03LT, PHK5NQ15T, 18N50, PHKD3NQ10T, PHKD6N02LT, PHN203, PHN210T, PHP18NQ10T, PHP18NQ11T, PHP191NQ06LT, PHP20N06T