PHKD13N03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHKD13N03LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.57 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.4 A
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для PHKD13N03LT
PHKD13N03LT Datasheet (PDF)
..1. Size:195K philips
phkd13n03lt.pdf
phkd13n03lt.pdf
PHKD13N03LTDual N-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 27 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SI4420DY
