Справочник MOSFET. PHKD13N03LT

 

PHKD13N03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHKD13N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.4 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для PHKD13N03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHKD13N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  philips
 phkd13n03lt.pdf pdf_icon

PHKD13N03LT

PHKD13N03LTDual N-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 27 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2

Другие MOSFET... PHK04P02T , PHK12NQ03LT , PHK12NQ10T , PHK13N03LT , PHK18NQ03LT , PHK28NQ03LT , PHK31NQ03LT , PHK5NQ15T , 75N75 , PHKD3NQ10T , PHKD6N02LT , PHN203 , PHN210T , PHP18NQ10T , PHP18NQ11T , PHP191NQ06LT , PHP20N06T .

History: CS7N60F | RP1E090RPTR

 

 
Back to Top

 


 
.