Справочник MOSFET. PHP23NQ11T

 

PHP23NQ11T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHP23NQ11T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для PHP23NQ11T

 

 

PHP23NQ11T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  philips
 php23nq11t.pdf

PHP23NQ11T PHP23NQ11T

PHP23NQ11TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 25 February 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 F

 ..2. Size:328K  nxp
 php23nq11t.pdf

PHP23NQ11T PHP23NQ11T

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:101K  philips
 phb23nq15t php23nq15t 1.pdf

PHP23NQ11T PHP23NQ11T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP23NQ15T, PHB23NQ15T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 150 V Fast switching Low thermal resistance ID = 23 AgRDS(ON) 90 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic enve

 6.2. Size:102K  philips
 phb23nq10t phd23nq10t php23nq10t 1.pdf

PHP23NQ11T PHP23NQ11T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP23NQ10T, PHB23NQ10T PHD23NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 23 AgRDS(ON) 70 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top