PHP23NQ11T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP23NQ11T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 110 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для PHP23NQ11T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP23NQ11T даташит

 ..1. Size:211K  philips
 php23nq11t.pdf pdf_icon

PHP23NQ11T

PHP23NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 25 February 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 F

 ..2. Size:328K  nxp
 php23nq11t.pdf pdf_icon

PHP23NQ11T

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:101K  philips
 phb23nq15t php23nq15t 1.pdf pdf_icon

PHP23NQ11T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP23NQ15T, PHB23NQ15T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 150 V Fast switching Low thermal resistance ID = 23 A g RDS(ON) 90 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic enve

 6.2. Size:102K  philips
 phb23nq10t phd23nq10t php23nq10t 1.pdf pdf_icon

PHP23NQ11T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP23NQ10T, PHB23NQ10T PHD23NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 23 A g RDS(ON) 70 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PHN203, PHN210T, PHP18NQ10T, PHP18NQ11T, PHP191NQ06LT, PHP20N06T, PHP20NQ20T, PHP225, IRFB31N20D, PHP27NQ11T, PHP28NQ15T, PHP29N08T, PHP30NQ15T, PHP33NQ20T, PHP45NQ10T, PHP45NQ11T, PHP79NQ08LT