PHP29N08T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP29N08T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для PHP29N08T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP29N08T даташит

 ..1. Size:262K  philips
 php29n08t phb29n08t-01.pdf pdf_icon

PHP29N08T

PHP/PHB29N08T TrenchMOS standard level FET Rev. 01 29 May 2002 Product data 1. Description N-channel standard level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP29N08T in SOT78 (TO-220AB) PHB29N08T in SOT404 (D2-PAK). 2. Features High noise immunity Low on-state resistance. 3. Applications Industrial motor cont

 ..2. Size:675K  nxp
 php29n08t.pdf pdf_icon

PHP29N08T

PHP29N08T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 12 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Featu

Другие IGBT... PHP18NQ11T, PHP191NQ06LT, PHP20N06T, PHP20NQ20T, PHP225, PHP23NQ11T, PHP27NQ11T, PHP28NQ15T, 7N60, PHP30NQ15T, PHP33NQ20T, PHP45NQ10T, PHP45NQ11T, PHP79NQ08LT, PHP9NQ20T, PHT4NQ10LT, PHT4NQ10T