PHP30NQ15T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP30NQ15T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для PHP30NQ15T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP30NQ15T даташит

 ..1. Size:288K  philips
 php30nq15t phb30nq15t.pdf pdf_icon

PHP30NQ15T

PHP30NQ15T; PHB30NQ15T N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02 12 March 2001 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP30NQ15T in SOT78 (TO-220AB) PHB30NQ15T in SOT404 (D2-PAK). 2. Features Fast switching Low on-state resistance.

 ..2. Size:100K  philips
 phb30nq15t php30nq15t 1.pdf pdf_icon

PHP30NQ15T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP30NQ15T, PHB30NQ15T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 150 V Fast switching Low thermal resistance ID = 29 A g RDS(ON) 63 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic

 9.1. Size:105K  philips
 phd3055e php3055e 4.pdf pdf_icon

PHP30NQ15T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP3055E, PHD3055E FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 55 V Fast switching ID = 10.3 A g RDS(ON) 150 m (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, field-effect power transistor in a plastic envelope using tr

 9.2. Size:317K  philips
 php3055e phd3055e.pdf pdf_icon

PHP30NQ15T

PHP/PHD3055E TrenchMOS standard level FET Rev. 06 25 March 2002 Product data 1. Description N-channel standard level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP3055E in SOT78 (TO-220AB) PHD3055E in SOT428 (D-PAK). 2. Features Fast switching Low on-state resistance. 3. Applications DC to DC converters Switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PHP191NQ06LT, PHP20N06T, PHP20NQ20T, PHP225, PHP23NQ11T, PHP27NQ11T, PHP28NQ15T, PHP29N08T, IRFZ48N, PHP33NQ20T, PHP45NQ10T, PHP45NQ11T, PHP79NQ08LT, PHP9NQ20T, PHT4NQ10LT, PHT4NQ10T, PHT6N06T