Справочник MOSFET. PMF3800SN

 

PMF3800SN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMF3800SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: SC70
 

 Аналог (замена) для PMF3800SN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF3800SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  philips
 pmf3800sn.pdf pdf_icon

PMF3800SN

PMF3800SNN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 03 11 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

Другие MOSFET... PHT6NQ10T , PHU97NQ03LT , PMBF170 , PMDPB65UP , PMF170XP , PMF280UN , PMF290XN , PMF370XN , IRFZ44N , PMF400UN , PMF780SN , PMFPB6532UP , PMFPB6545UP , PMG370XN , PMG85XP , PMGD280UN , PMGD290XN .

History: KP746B1 | CS2N50DU | S60N18RN

 

 
Back to Top

 


 
.