Справочник MOSFET. PMF3800SN

 

PMF3800SN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMF3800SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: SC70
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF3800SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  philips
 pmf3800sn.pdf pdf_icon

PMF3800SN

PMF3800SNN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 03 11 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FDB3672F085 | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2 | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.