PMF3800SN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMF3800SN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: SC70

Аналог (замена) для PMF3800SN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF3800SN даташит

 ..1. Size:327K  philips
 pmf3800sn.pdf pdf_icon

PMF3800SN

PMF3800SN N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03 11 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Fe

Другие IGBT... PHT6NQ10T, PHU97NQ03LT, PMBF170, PMDPB65UP, PMF170XP, PMF280UN, PMF290XN, PMF370XN, IRFZ44N, PMF400UN, PMF780SN, PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMG370XN, PMG85XP, PMGD280UN, PMGD290XN