Справочник MOSFET. PMF3800SN

 

PMF3800SN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMF3800SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.56 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.26 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.5 Ohm
   Тип корпуса: SC70

 Аналог (замена) для PMF3800SN

 

 

PMF3800SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  philips
 pmf3800sn.pdf

PMF3800SN PMF3800SN

PMF3800SNN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 03 11 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: GSM7402

 

 
Back to Top