PMFPB6532UP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMFPB6532UP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOT1118

Аналог (замена) для PMFPB6532UP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMFPB6532UP даташит

 ..1. Size:255K  nxp
 pmfpb6532up.pdf pdf_icon

PMFPB6532UP

PMFPB6532UP 20 V, 3.5 A / 320 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combination Rev. 2 1 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2

 7.1. Size:257K  nxp
 pmfpb6545up.pdf pdf_icon

PMFPB6532UP

PMFPB6545UP 20 V, 3.5 A / 440 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combination Rev. 2 4 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2

 9.1. Size:277K  nxp
 pmfpb8032xp.pdf pdf_icon

PMFPB6532UP

PMFPB8032XP 20 V, 3.7 A / 320 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combination 21 December 2012 Product data sheet 1. General description Small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mount

 9.2. Size:280K  nxp
 pmfpb8040xp.pdf pdf_icon

PMFPB6532UP

PMFPB8040XP 20 V, 3.7 A / 440 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combination 21 December 2012 Product data sheet 1. General description Small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mount

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMDPB65UP, PMF170XP, PMF280UN, PMF290XN, PMF370XN, PMF3800SN, PMF400UN, PMF780SN, IRF840, PMFPB6545UP, PMG370XN, PMG85XP, PMGD280UN, PMGD290XN, PMGD370XN, PMGD400UN, PMGD780SN