Справочник MOSFET. PMN25EN

 

PMN25EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN25EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN25EN Datasheet (PDF)

 0.1. Size:260K  nxp
 pmn25ene.pdf pdf_icon

PMN25EN

PMN25ENE30 V, N-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Discharg

 0.2. Size:260K  nxp
 pmn25enea.pdf pdf_icon

PMN25EN

PMN25ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET14 March 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E

Другие MOSFET... PMGD8000LN , PMK30EP , PMK35EP , PMK50XP , PML260SN , PML340SN , PMN20EN , PMN23UN , IRFB4110 , PMN25UN , PMN27UN , PMN27UP , PMN28UN , PMN34LN , PMN34UN , PMN34UP , PMN35EN .

History: IRFMG40 | 2SK3354Z

 

 
Back to Top

 


 
.