PMN25EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN25EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN25EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN25EN даташит

 0.1. Size:260K  nxp
 pmn25ene.pdf pdf_icon

PMN25EN

PMN25ENE 30 V, N-channel Trench MOSFET 16 April 2018 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Discharg

 0.2. Size:260K  nxp
 pmn25enea.pdf pdf_icon

PMN25EN

PMN25ENEA 30 V, N-channel Trench MOSFET 14 March 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E

Другие IGBT... PMGD8000LN, PMK30EP, PMK35EP, PMK50XP, PML260SN, PML340SN, PMN20EN, PMN23UN, AON6414A, PMN25UN, PMN27UN, PMN27UP, PMN28UN, PMN34LN, PMN34UN, PMN34UP, PMN35EN