Справочник MOSFET. PMN25EN

 

PMN25EN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMN25EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для PMN25EN

 

 

PMN25EN Datasheet (PDF)

 0.1. Size:260K  nxp
 pmn25ene.pdf

PMN25EN PMN25EN

PMN25ENE30 V, N-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Discharg

 0.2. Size:260K  nxp
 pmn25enea.pdf

PMN25EN PMN25EN

PMN25ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET14 March 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E

Другие MOSFET... PMGD8000LN , PMK30EP , PMK35EP , PMK50XP , PML260SN , PML340SN , PMN20EN , PMN23UN , IRFB4115 , PMN25UN , PMN27UN , PMN27UP , PMN28UN , PMN34LN , PMN34UN , PMN34UP , PMN35EN .

 

 
Back to Top