PMN25UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN25UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN25UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN25UN даташит

 9.1. Size:260K  nxp
 pmn25ene.pdf pdf_icon

PMN25UN

PMN25ENE 30 V, N-channel Trench MOSFET 16 April 2018 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Discharg

 9.2. Size:260K  nxp
 pmn25enea.pdf pdf_icon

PMN25UN

PMN25ENEA 30 V, N-channel Trench MOSFET 14 March 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E

Другие IGBT... PMK30EP, PMK35EP, PMK50XP, PML260SN, PML340SN, PMN20EN, PMN23UN, PMN25EN, IRFB4115, PMN27UN, PMN27UP, PMN28UN, PMN34LN, PMN34UN, PMN34UP, PMN35EN, PMN38EN