PMN25UN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMN25UN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для PMN25UN
PMN25UN Datasheet (PDF)
pmn25ene.pdf

PMN25ENE30 V, N-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Discharg
pmn25enea.pdf

PMN25ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET14 March 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E
Другие MOSFET... PMK30EP , PMK35EP , PMK50XP , PML260SN , PML340SN , PMN20EN , PMN23UN , PMN25EN , AON6414A , PMN27UN , PMN27UP , PMN28UN , PMN34LN , PMN34UN , PMN34UP , PMN35EN , PMN38EN .
History: IPP80N08S2-07 | BLP14N08L-D | PMGD280UN | DH045N06 | BLS60R150-A | NCE70N290
History: IPP80N08S2-07 | BLP14N08L-D | PMGD280UN | DH045N06 | BLS60R150-A | NCE70N290



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI
Popular searches
2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121