PMN25UN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMN25UN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для PMN25UN
PMN25UN Datasheet (PDF)
pmn25ene.pdf

PMN25ENE30 V, N-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Discharg
pmn25enea.pdf

PMN25ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET14 March 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology E
Другие MOSFET... PMK30EP , PMK35EP , PMK50XP , PML260SN , PML340SN , PMN20EN , PMN23UN , PMN25EN , IRFP250N , PMN27UN , PMN27UP , PMN28UN , PMN34LN , PMN34UN , PMN34UP , PMN35EN , PMN38EN .
History: IRF630NS | APT14M120S | VS3603GPMT | AT10N65S | STF9HN65M2 | APT18M100S | IRFSL3307ZPBF
History: IRF630NS | APT14M120S | VS3603GPMT | AT10N65S | STF9HN65M2 | APT18M100S | IRFSL3307ZPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121