PMN28UN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PMN28UN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для PMN28UN
PMN28UN Datasheet (PDF)
pmn28une.pdf

PMN28UNE20 V, N-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching ElectroStatic Discharge
pmn280enea.pdf

PMN280ENEA100 V, N-channel Trench MOSFET11 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology
Другие MOSFET... PML260SN , PML340SN , PMN20EN , PMN23UN , PMN25EN , PMN25UN , PMN27UN , PMN27UP , 2SK3878 , PMN34LN , PMN34UN , PMN34UP , PMN35EN , PMN38EN , PMN40LN , PMN45EN , PMN48XP .
History: 2SK1419 | BSC020N03MS | LNSA3400 | LNH04R120 | SSM2306GN | SLD70R900S2
History: 2SK1419 | BSC020N03MS | LNSA3400 | LNH04R120 | SSM2306GN | SLD70R900S2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313