PMN28UN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMN28UN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PMN28UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN28UN даташит

 0.1. Size:278K  nxp
 pmn28une.pdf pdf_icon

PMN28UN

PMN28UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET 16 April 2018 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching ElectroStatic Discharge

 9.1. Size:260K  nxp
 pmn280enea.pdf pdf_icon

PMN28UN

PMN280ENEA 100 V, N-channel Trench MOSFET 11 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

Другие IGBT... PML260SN, PML340SN, PMN20EN, PMN23UN, PMN25EN, PMN25UN, PMN27UN, PMN27UP, IRF9540, PMN34LN, PMN34UN, PMN34UP, PMN35EN, PMN38EN, PMN40LN, PMN45EN, PMN48XP