Справочник MOSFET. PMN40LN

 

PMN40LN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMN40LN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.75 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 13.8 nC
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для PMN40LN

 

 

PMN40LN Datasheet (PDF)

 9.1. Size:722K  nxp
pmn40ene.pdf

PMN40LN PMN40LN

PMN40ENE30 V, N-channel Trench MOSFET24 May 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching Enhanced power dissipatio

 9.2. Size:274K  nxp
pmn40upea.pdf

PMN40LN PMN40LN

PMN40UPEA20 V, single P-channel Trench MOSFET19 June 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Fast switching Trench MOSFET technology 4 kV ESD protection

 9.3. Size:301K  nxp
pmn40ena.pdf

PMN40LN PMN40LN

PMN40ENA60 V, N-channel Trench MOSFET11 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology AE

 9.4. Size:199K  nxp
pmn40upe.pdf

PMN40LN PMN40LN

PMN40UPE20 V, single P-channel Trench MOSFET13 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Fast switching Trench MOSFET technology

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top